QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

 行业动态     |      2019-09-09 21:33

QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC、MLC、TLC以及最新推出的QLC。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作 Cell ,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据,TLC每个cell可以存放3bit数据,而QLC可以存放4bit数据。

QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比

全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。

全称是Multi-Level Cell,使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,理论擦写次数在3000-5000次左右,成本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品中。

全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。

全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。

QLC颗粒怎么样?固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识

QLC、SLC、MLC、TLC颗粒对比

每一个Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但是同时会导致不同电压状态越多,并且越难控制,所以采用QLC颗粒的固态,虽然容量更大价格更便宜,但是稳定性较差,并且P/E寿命较低,速度最慢。

QLC NAND最大的优势就是在于成本更低,相同的成本下能够做出更大容量的SSD,容量将不再受到限制,1TB容量对于QLC颗粒来说,都是小意思,几十到上百TB才是主流,大容量固态硬盘时代开始了。但是对于P/E寿命和速度来说,这是QLC颗粒最大劣势之处,P/E寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365,但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大,假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘,每天擦写100G,也就是它的寿命=1024*100/100/365,约2.8年,还有这个最大写入次数也是理论上的,超出不一定就100%坏了,关键电脑不可能每天打开,也有休息的时候,加之每天不可能都擦写100G,所以它的寿命也是不用太担心的,等待固态硬盘坏了,整台电脑也淘汰了。